亿宾微电子专业代理ST品牌:STM32、STM8系列MCU,EEPROM、EPROM OTP、NAND FLASH、NOR FLASH.

当前位置: 首页 > 技术支持 > STM32 MCU专栏 > 内容

STM32F102供电电流特性

STM32F102供电电流特性

电流消耗是多种参数和因素的综合指标,这些参数和因素包括工作电压、环境温度、I/O引脚的负载、产品的软件配置、工作频率、I/O脚的翻转速率、程序在存储器中的位置以及执行的代码等。

电流消耗的测量方法说明,详见图9。

本节中给出的所有运行模式下的电流消耗测量值,都是在执行一套精简的代码,能够得到Dhrystone 2.1代码等效的结果。

最大电流消耗

微控制器处于下列条件:

  • 所有的I/O引脚都处于输入模式,并连接到一个静态电平上——VDD或VSS(无负载)。
  • 所有的外设都处于关闭状态,除非特别说明。
  • 闪存存储器的访问时间调整到fHCLK的频率(0~24MHz时为0个等待周期,24~48MHz时为1个等待周期)。
  • 指令预取功能开启(提示:这个参数必须在设置时钟和总线分频之前设置)。
  • 当开启外设时:fPCLK1 = fHCLK/2,fPCLK2 = fHCLK

表12和表13中给出的参数,是依据表8列出的环境温度下和VDD供电电压下测试得出。

表1   运行模式下的最大电流消耗,数据处理代码从内部闪存中运行

符号

参数

条件

fHCLK

最大值(1)

单位

TA = 85°C

IDD

运行模式下的供应电流

外部时钟(2)

使能所有外设

48MHz

36.1

mA

36MHz

28.6

24MHz

19.9

16MHz

14.7

8MHz

8.6

外部时钟(2)

关闭所有外设

48MHz

24.4

36MHz

19.8

24MHz

13.9

16MHz

10.7

8MHz

6.8

  1. 由综合评估得出,不在生产中测试。
  2. 外部时钟为8MHz,当fHCLK>8MHz时启用PLL。

表2   运行模式下的最大电流消耗,数据处理代码从内部RAM中运行

符号

参数

条件

fHCLK

最大值(1)

单位

TA = 85°C

IDD

运行模式下的供应电流

外部时钟(2)

使能所有外设

48MHz

31.5

mA

36MHz

24

24MHz

17.5

16MHz

12.5

8MHz

7.5

外部时钟(2)

关闭所有外设

48MHz

20.5

36MHz

16

24MHz

11.5

16MHz

8.5

8MHz

5.5

  1. 由综合评估得出,在生产中以VDDmax和fHCLKmax为条件测试。
  2. 外部时钟为8MHz,当fHCLK>8MHz时启用PLL。

表1   睡眠模式下的最大电流消耗,代码运行在Flash或RAM中

符号

参数

条件

fHCLK

最大值(1)

单位

TA = 85°C

IDD

睡眠模式下的供应电流

外部时钟(2)

使能所有外设

48MHz

20

mA

36MHz

15.5

24MHz

11.5

16MHz

8.5

8MHz

5.5

外部时钟(2)

关闭所有外设

48MHz

6

36MHz

5

24MHz

4.5

16MHz

4

8MHz

3

  1. 由综合评估得出,在生产中以VDDmax和以fHCLKmax使能外设为条件测试。
  2. 外部时钟为8MHz,当fHCLK>8MHz时启用PLL。

 

表2   停机和待机模式下的典型和最大电流消耗

符号

参数

条件

典型值(1)

最大值

单位

VDD/VBAT

= 2.4V

VDD/VBAT

= 3.3V

VDD/VBAT

= 2.0V

TA =

85°C(2)

IDD

停机模式下的供应电流 调压器处于运行模式,低速和高速内部RC振荡器和高速振荡器处于关闭状态(没有独立看门狗)

23.5

24

 

-

200

μA

调压器处于低功耗模式,低速和高速内部RC振荡器和高速振荡器处于关闭状态(没有独立看门狗)

13.5

14

 

-

180

待机模式下的供应电流(2) 低速内部RC振荡器和独立看门狗处于开启状态

2.6

3.4

 

-

 

TBD(3)

低速内部RC振荡器处于开启状态,独立看门狗处于关闭状态

2.4

3.2

 

-

 

TBD(3)

低速内部RC振荡器和独立看门狗处于关闭状态,低速振荡器和RTC处于关闭状态

1.7

2

 

-

4

IDD_VBAT

备份区域的供应电流 低速振荡器和RTC处于开启状态

1.1

1.4

 

0.9

 

1.9(4)

  1. 典型值是在TA=25°C下测试得到。
  2. 该功耗电流在打开RTC功能的待机模式下测得,IDD_VBAT(RTC使能,使用低速振荡器)也被加入了待机模式下的IDD(当VDD存在时,后备电路由VDD供电)。
  3. TBD指未定。
  4. 由综合评估得出,不在生产中测试。

                    典型的电流消耗

MCU处于下述条件下:

  • 所有的I/O引脚都处于输入模式,并连接到一个静态电平上——VDD或VSS(无负载)。
  • 所有的外设都处于关闭状态,除非特别说明。
  • 闪存访问时间调整到fHCLK的频率(0~24MHz时为0个等待周期,24~48MHz时为1个等待周期)。
  • 指令预取功能开启(提示:这个参数必须在设置时钟和总线分频之前设置)。
  • 当开启外设时:fPCLK1 = fHCLK/4,fPCLK2 = fHCLK/2,fADCCLK = fPCLK2/4。

下表给出的参数是在环境温度和VDD供电电压符合表8的条件下测试得到。

 

表1   运行模式下的典型电流消耗,代码从内部Flash中运行

符号

参数

条件

fHCLK

典型值(1)

单位

使能所有外设(2)

关闭所有外设

IDD

运行模式下的供应电流

外部时钟(3)

48MHz

24.2

18.6

mA

36MHz

19

14.8

24MHz

12.9

10.1

16MHz

9.3

7.4

8MHz

5.5

4.6

4MHz

3.3

2.8

2MHz

2.2

1.9

1MHz

1.6

1.45

500kHz

1.3

1.25

125kHz

1.08

1.06

运行于高速内部RC振荡器(HSI),使用AHB预分频以减低频率

48MHz

23.5

17.9

mA

36MHz

18.3

14.1

24MHz

12.2

9.5

16MHz

8.5

6.8

8MHz

4.9

4

4MHz

2.7

2.2

2MHz

1.6

1.4

1MHz

1.02

0.9

500kHz

0.73

0.67

125kHz

0.5

0.48

  1. 典型值是在TA=25°C、VDD=3.3V时测试得到。
  2. 每个模拟部分的ADC要增加额外的0.8mA电流消耗。在应用环境中,这部分电流只有在开启ADC(设置ADC_CR2寄存器的ADON位)时才会增加。
  3. 外部时钟为8MHz,当fHCLK>8MHz时启用PLL。

表2   睡眠模式下的典型电流消耗,代码从内部Flash或RAM中运行

符号

参数

条件

fHCLK

典型值(1)

单位

使能所有外设(2)

关闭所有外设

IDD

运行模式下的供应电流 外部时钟(3)

48MHz

9.9

3.9

mA

36MHz

7.6

3.1

24MHz

5.3

2.3

16MHz

3.8

1.8

8MHz

2.1

1.2

4MHz

1.6

1.1

2MHz

1.3

1

1MHz

1.11

0.98

500kHz

1.04

0.96

125kHz

0.98

0.95

运行于高速内部RC振荡器(HSI),使用AHB预分频以减低频率

48MHz

9.3

3.3

mA

36MHz

7

2.5

24MHz

4.8

1.8

16MHz

3.2

1.2

8MHz

1.6

0.6

4MHz

1

0.5

2MHz

0.72

0.47

1MHz

0.56

0.44

500kHz

0.49

0.42

125kHz

0.43

0.41

  1. 典型值是在TA=25°C、VDD=3.3V时测试得到。
  2. 每个模拟部分的ADC要增加额外的0.8mA电流消耗。在应用环境中,这部分电流只有在开启ADC(设置ADC_CR2寄存器的ADON位)时才会增加。
  3. 外部时钟为8MHz,当fHCLK>8MHz时启用PLL。

                    内置外设电流消耗

内置外设的电流消耗列于表18,MCU的工作条件如下:

  • 所有的I/O引脚都处于输入模式,并连接到一个静态电平上——VDD或VSS(无负载)。
  • 所有的外设都处于关闭状态,除非特别说明。
  • 给出的数值是通过测量电流消耗计算得出

−      关闭所有外设的时钟

−      只开启一个外设的时钟

  • 环境温度和VDD供电电压条件列于表5。

表3   内置外设的电流消耗(1)

内置外设

25°C时的

典型功耗(1)

单位

内置外设

25°C时的

典型功耗(1)

单位

APB1

TIM2

0.9

mA

APB2

GPIOA

0.45

mA

TIM3

0.86

GPIOB

0.32

TIM4

0.88

GPIOC

0.49

SPI2

0.26

GPIOD

0.32

USART2

0.45

ADC1(2)

1.51

USART3

0.43

SPI1

0.21

USB

0.57

USART1

0.72

I2C1

0.24

 

 

I2C2

0.25

 

 

  1. fHCLK=48MHz,fAPB1 = fHCLK/2,fAPB2 = fHCLK,每个外设的预分频系数为默认值。
  2. ADC的特殊条件:fHCLK=48MHz,fAPB1 = fHCLK/2,fAPB2 = fHCLK,fADCCLK = fAPB2/4,ADC_CR2寄存器的ADON=1。

点击次数: 4,829 次   更新时间:2012-12-23  【打印此页】  【关闭
0755-27665550
杨文广
彭明辉
  • 粤ICP备12011505号; 地址:广东省深圳市南山区科技园南区联想大厦B50E
  • Copyright © 2012 - ST MCUEEPROM代理商EBV电子

  • 电话:0755-2308 3660 - 传真:0755-2782 6906 - Email:sales#ebv.hk(#换成@)