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STM32F102内部时钟源特性

STM32F102内部时钟源特性

下表中给出的特性参数是使用环境温度和供电电压符合表8的条件测量得到。

                    高速内部(HSI)RC振荡器

表1   HSI振荡器特性(1)

符号

参数

条件

最小值

典型值

最大值

单位

fHSI 频率  

 

8

 

MHz

ACCHSI HSI振荡器的精度

用户通过RCC_CR寄存器校验(2)

 

 

1(3)

 

 

 

出厂校验(4)

TA = -40~85°C

-2

 

2.5

%

TA = -10~85°C

-1.5

 

2.2

%

TA = 0~70°C

-1.3

 

2

%

TA = 25°C

-1.1

 

1.8

%

tSU(HSI)(4) HSI振荡器启动时间

 

 

1

 

2

μs

IDD(HSI) (4) HSI振荡器功耗

 

 

 

80

100

μA

  1. VDD = 3.3V,TA = -40~85°C,除非特别说明。
  2. 详细信息请参考AN2868”STM32F10xxx内部RC振荡器(HSI)的校验”
  3. 由设计保证,不在生产中测试。
  4. 由综合评估得出,不在生产中测试。

                    低速内部(LSI)RC振荡器

表2   LSI振荡器特性(1)

符号

参数

条件

最小值(2)

典型值

最大值

单位

fLSI 频率  

30

40

60

kHz

tSU(LSI)(3) LSI振荡器启动时间

 

 

 

85

μs

IDD(LSI)(3) LSI振荡器功耗

 

 

0.65

1.2

μA

  1. VDD = 3.3V,TA = -40~85°C,除非特别说明。
  2. 由综合评估得出,不在生产中测试。
  3. 由设计保证,不在生产中测试。

                    从低功耗模式唤醒的时间

表25列出的唤醒时间是在一个8MHz的HSI RC振荡器的唤醒阶段测量得到。唤醒时使用的时钟源依当前的操作模式而定:

  • 停机或待机模式:时钟源是RC振荡器
  • 睡眠模式:时钟源是进入睡眠模式时所使用的时钟

所有的时间是使用环境温度和供电电压符合表8的条件测量得到。

 

 

表3   低功耗模式的唤醒时间

符号

参数

典型值

单位

tWUSLEEP(1) 从睡眠模式唤醒

1.8

μs

tWUSTOP(1) 从停机模式唤醒(调压器处于运行模式)

3.6

μs

从停机模式唤醒(调压器为低功耗模式)

5.4

tWUSTDBY(1) 从待机模式唤醒

50

μs

  1. 唤醒时间的测量是从唤醒事件开始至用户程序读取第一条指令。

点击次数: 3,810 次   更新时间:2012-12-21  【打印此页】  【关闭
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